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Renesas热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • GWS4621L

  • 制造商：Renesas Electronics America Inc
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 2N-CH
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装散装
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能标准
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10.1A（Ta）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）9.8 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）11nC @ 4V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1125pF @ 10V
  • 功率 - 最大值3.6W（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳4-XFLGA，CSP
  • 供应商器件封装4-WLCSP（1.82x1.82）

其它信息

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