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ISL6613AECBZ-T相关型号

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Renesas热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • ISL6613AECBZ-T

  • 制造商：Renesas Electronics America Inc
  • 批号：19+
  • 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型同步
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 电源10.8V ~ 13.2V
  • 逻辑电压- VIL，VIH-
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）1.25A，2A
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）36V
  • 上升/下降时间（典型值）26ns，18ns
  • 工作温度0°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-SOIC-EP

其它信息

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